3nm နည်းပညာကိုထုတ်ဖော်ပြသခဲ့သည်! Samsung သည်နောက်ဆုံးပေါ် 3GAE လုပ်ငန်းစဉ်အသေးစိတ်ကိုမျှဝေသည်

မကြာသေးမီက IEEE International State Circuits Conference တွင် Samsung သည်၎င်း၏ကိုယ်ပိုင် 3NM GAE MBCFET CHATES ထုတ်လုပ်မှုထုတ်လုပ်မှုကိုအသေးစိတ်ဖော်ပြခဲ့သည်။

Digitimes မှထုတ်ပြန်ခဲ့သောနောက်ဆုံးအစီရင်ခံစာအရ TSMC ၏ 3NM လုပ်ငန်းစဉ်သည်ယခုနှစ်ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင်စမ်းသပ်မှုကိုစတင်မည်ဖြစ်သည်။ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း Samsung နှင့် TSMC တို့အကြားယှဉ်ပြိုင်မှုသည်အဆင့်မြင့်နည်းပညာဖြစ်စဉ်များတွင်ယှဉ်ပြိုင်မှုသည်ပိုမိုပြင်းထန်လာသည်။ Samsung သည် TSMC နောက်ကွယ်တွင်နောက်ကျကျန်ခဲ့သော်လည်းအဆက်မပြတ်အမီလိုက်နေသည်။

3NM လုပ်ငန်းစဉ်အရ TSMC သည်ဖင်လန်နည်းပညာကို အသုံးပြု. သံချပ်ကာများဆက်လက်ပြုလုပ်နေဆဲဖြစ်သော်လည်း Samsung သည် NanoChip Transistors သို့ကူးပြောင်းခြင်းကိုရွေးချယ်ခဲ့သည်။

Taejoong Song ၏ပြောကြားချက်အရ Samsung Electronics ဒုဥက္က President ္ဌ Nano-Chip ဖွဲ့စည်းပုံစနစ်တကျဖွဲ့စည်းထားသော Transistor သည်အောင်မြင်သောဒီဇိုင်းဖြစ်လိမ့်မည်။

တကယ်တော့ 2019 ခုနှစ်အစောပိုင်းမှာ Samsung ကတော့ Samsung က 3NM process ကိုပထမဆုံးအကြိမ်ကြေငြာလိုက်ပြီးအဲဒါက Finfet ကိုစွန့်လွှတ်လိမ့်မယ်ဆိုတာရှင်းရှင်းလင်းလင်းကြေငြာခဲ့တယ်။ Samsung သည်၎င်း၏ 3NM process ကို 3Gae နှင့် 3 gigap ကိုကွဲပြားစေသည်။ အစည်းအဝေးတွင် Samsung က 3Gae process node သည်စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှု 30% အထိရရှိလိမ့်မည်ဟုပြောကြားခဲ့သည်။ စွမ်းအင်စားသုံးမှုကို 50% လျှော့ချနိုင်ကြောင်းနှင့် Transistor Density ကိုလည်း 80% တိုးမြှင့်နိုင်သည်။

TSMC ၏နောက်တွင် 7nm နှင့် 5NM process node များ၌နောက်ကျသောကြောင့် Samsung သည် 3NM လုပ်ငန်းစဉ်အတွက်မျှော်လင့်ချက်မြင့်မားပြီး TSMC ကိုကျော်ရန် NanoChip Transistors ကိုအသုံးပြုရန်မျှော်လင့်နေသည်။

Samsung ၏ 3Gae လုပ်ငန်းစဉ်ကို 2022 ခုနှစ်တွင်တရားဝင်စတင်မိတ်ဆက်မည်ဟုမျှော်လင့်ရသည်။ အစည်းအဝေးတွင်ဖော်ပြထားသည့်အသေးစိတ်အချက်အလက်များမှာ Samsung သည် 3NM လုပ်ငန်းစဉ်တွင်နောက်ထပ်ခြေလှမ်းတစ်ခုပြုလုပ်ခဲ့သည်ဟုဖော်ပြထားသည်။

Samsung ၏ 3Gae လုပ်ငန်းစဉ်စတင်ချိန်တွင် Samsung နှင့် TSMC တို့သည် 2022 ခုနှစ်တွင်အဆင့်မြင့် 3NM လုပ်ငန်းစဉ်များအတွက် ပိုမို. ယှဉ်ပြိုင်နိုင်မည်မှာသေချာသည်။