အောင်မြင်မှု! Kioxia သည် 170-layer NAND flash memory ထုတ်ကုန်များကိုတီထွင်ခဲ့သည်

Nikkei Asian Review မှတင်ပြထားသည်မှာ NAND မှတ်ဉာဏ်အသစ်သည်အမေရိကန်လုပ်ဖော်ကိုင်ဖက် Western Digital နှင့်အတူတကွတီထွင်ခဲ့ခြင်းဖြစ်ပြီး၎င်း၏အချက်အလက်ရေးသားမှုနှုန်းသည် Kioxia ၏လက်ရှိထိပ်တန်းထုတ်ကုန် (၁၁၂ ခုအလွှာ) ထက်နှစ်ဆပိုများသည်။

ထို့အပြင် Kioxia သည် NAND အသစ်၏ layer တစ်ခုစီတွင် memory cell များပိုမိုအောင်မြင်စွာထည့်သွင်းနိုင်ခဲ့သည်။ ဆိုလိုသည်မှာစွမ်းရည်တူ memory နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်၎င်းသည် chip ကို ၃၀% ကျော်စွာကျုံ့နိုင်သည်။ သေးငယ်သောချစ်ပ်များသည်စမတ်ဖုန်းများ၊ ဆာဗာများနှင့်အခြားထုတ်ကုန်များဆောက်လုပ်ရာတွင်ပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်ရှိစေသည်။

Kioxia သည်အပြည်ပြည်ဆိုင်ရာ Solid-State တိုက်နယ်ညီလာခံတွင် NAND အသစ်ကိုစတင်ရန်စီစဉ်နေပြီးလာမည့်နှစ်အစောပိုင်းတွင်အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုစတင်ရန်မျှော်လင့်ရသည်

5G နည်းပညာတိုးတက်လာခြင်းနှင့်ပိုမိုကြီးမားသောစကေးများနှင့်ပိုမိုမြန်ဆန်သောဒေတာများကိုထုတ်လွှင့်ခြင်းနှင့်အတူ Kioxia သည်ဒေတာစင်တာများနှင့်စမတ်ဖုန်းများနှင့်သက်ဆိုင်သောဝယ်လိုအားကိုရယူရန်မျှော်လင့်ပါသည်။ သို့သော်ဤလယ်ပြင်၌ယှဉ်ပြိုင်မှုပိုမိုပြင်းထန်လာခဲ့သည်။ Micron နှင့် SK Hynix တို့သည် Kioxia မတိုင်မီ ၁၇၆ အလွှာ NAND ကိုကြေငြာခဲ့သည်။

Flash memory တိုးပွားလာစေရန်အတွက် Kioxia နှင့် Western Digital သည်ယို ၁- ထရီလီယံ (ဒေါ်လာ ၉.၄၅ ဘီလီယံ) စက်ရုံကိုယခုနှစ်နွေ ဦး ရာသီတွင်ဂျပန်နိုင်ငံ၊ သူတို့၏ရည်မှန်းချက်မှာ ၂၀၂၂ ခုနှစ်တွင်ပထမဆုံးထုတ်လုပ်မှုလိုင်းများဖွင့်လှစ်ရန်ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင် Kioxia သည်အနာဂတ်တွင်လိုအပ်သည့်အတိုင်းထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကိုတိုးချဲ့နိုင်ရန်အတွက်ဂျပန်ရှိ Kitakami စက်ရုံဘေးတွင်စက်ရုံများစွာကိုဝယ်ယူခဲ့သည်။